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       化學氣相成長鍍膜方法是將氣體 狀原料含有需在基板上堆積物質(zhì)的氣體化學物原料玻璃瓶廠用H2,N2,Ar氣的載流氣引入至基板區(qū)域，通過化學反應在基板上形成薄膜的方法。玻璃瓶公司通過化學反應的控制可在基板上形成金屬，半導體，絕緣體等各種薄膜。
        DVD法為一不均勻系統(tǒng)反應，玻璃瓶生產(chǎn)廠家根據(jù)技術人員對此反應的氣體，反應副產(chǎn)物氣體等的光譜分析，可以認為其反應如下，1反應氣體輸送2反應氣體被基板材料吸附并在表面擴散，3在基板表面出現(xiàn)化學反應，成核及膜成長4，反應副產(chǎn)物為氣體，在基板表面解吸，擴散及由基板表面脫離，5不斷提供的反應氣體原料使鍍層有導狀生長為完整的薄膜。這些過程中最慢的過程決定了整體反應沉積薄膜的速度。
         沉積溫度下參加反應的各種物質(zhì)應具備足夠的蒸汽壓或應舉備足夠的過飽合度。徐州玻璃瓶廠在介紹中給出了CVD法中成膜溫度與過飽度對薄膜結構的影響示意。
        參加反應的原料物質(zhì)應為氣態(tài)，反應生成物除鍍層材料為固態(tài)外其余也應為氣態(tài)。玻璃瓶廠把沉積鍍膜溫度下基板及沉積物本身的蒸汽壓要足夠低，才可保證在反應中固態(tài)沉積物與基板形成牢固的結合。